功能描述:IGBT 晶体管
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
配置:
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:2.3 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:150 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:187 W
最大工作温度:
封装 / 箱体:TO-247
封装:Tube
SGU2N60UFTU
SGU6N60UFTU
SGULLA3.0880MHZ
SGULLA4.0960MHZ
SGW02N120
SGW10N60
SGW10N60A
SGW10N60RUFD
SGW10N60RUFDTM
SGW10N60RUFTM
您可以:
1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索
2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购